2017.12.06 

パワーサイクル試験装置

IGBT用パワーサイクル通電装置
パワー系半導体デバイスは大電力の高速スイッチングが可能な半導体素子として各分野での用途も多く 、これまで以上に高効率化、高信頼性が求められています。
本装置はパワー系半導体デバイスの一種であるIGBTについて、ON/OFF動作に伴う温度変化から発生する応力への耐久性を試験するシステムで、各種試験モードにより温度変化を繰り返すことにより、繰り返し疲労によるチップ接合面のクラック剥離に至る過程を再現し、信頼性評価を行っていただけます。

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基本機能

試験モード

ΔTJ定電力試験

  • 設定した時間に基づき、試験試料のON/OFFを繰り返します。
  • 設定した、電力値を試験資料へ印加します。
  • 比較的急峻な温度変化を伴う試験モードです。

ΔTJ定電流試験

  • 設定した時間に基づき、試験試料のON/OFFを繰り返します。
  • 設定した電流値を試験試料へ印加します。

ΔTC定電流試

  • 設定した温度に基づき、試験試料のON/OFFを繰り返します。
  • 設定した電流値を試験試料へ印加します。
  • 比較的ゆるやかな温度変化を伴う試験モードです。

パワーサイクル通電装置システム構成

パワーサイクル通電装置システム構成

基本仕様

対象デバイス IGBT(最大8試料)等
試験項目 ΔTJ定電力試験・ΔTJ定電流試験・ΔTC定電流試験
通電パターン 時間モード(ΔTJ)・温度モード(ΔTC)
通電時間 1~3600秒
通電電流 ~100A(最大)定電流モード(開放電圧:~ 36V(最大))
サイクル数 1~9999999 回
冷却方式 強制空冷
計測 TCmax ・TCmin・VCE (※1)・IC (※1)・VGE(※1)・Rth 等
異常検出 TC・IC・VCE・VGE・Rth等
その他 熱抵抗測定・試験結果FTP転送

(※1)各計測地について、通電期間中の平均値

既存設備や使用形態に応じた各種カスタマイズに対応しております。
例:サーモビューア計測データ統合機能、TJ温度計算・異常検出機能DB転送等

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